▲ SK하이닉스가 개발한 2세대 10나노급(1y) DDR4 D램. (SK하이닉스 제공)


[투데이코리아=김현호 기자] SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y)공정을 적용한 D램을 개발했다고 12일 밝혔다.

2세대는 1세대(1x) 제품보다 생산성은 약 20% 향상됐고, 전력소비는 15% 이상 줄인 이 제품은 DDR4 규격이 지원하는 최대치인 3천200Mbps의 데이터 전송속도를 안정적으로 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 데이터 전송 속도 향상을 위해 ‘4페이즈 클로킹(Phase Clocking)’ 설계기술을 적용해 대이터 전송시 클록 신호를 이전보다 두 배로 늘려 제품 작동 속도와 안정성을 향상시켰다.

아울러 전력소비를 줄이고 데이터 오류 발생 가능성을 낮추기 위해 독자 기술인 '센스 앰프'(Sense Amp)도 적용했다고 회사 측은 설명했다.

또한 데이터 증폭·전달 기능을 하는 회로에 전력 소모가 낮은 내부 전원도 추가해 전력 작동에 필요한 만큼 공급해 불필요 전력 사용도 방지한다.

SK하이닉스는 PC와 서버시장을 시작으로, 모바일을 비롯한 다양한 응용처에서 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용한다는 방침이다.



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